Матвеев, Б. А.
Широкополосные средневолновые инфракрасные фотодиоды на основе твердых растворов А III B V / Б. А. Матвеев, В.И. Ратушный, А.Ю. Рыбальченко. - Электрон. дан. (1 файл). - Москва ; Саратов : Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» : Ай Пи Эр Медиа, 2016. - 116 c. - URL: http://www.iprbookshop.ru/49392.html.

Аннотация: Проведен обзор материалов, структур и конструкций, применяемых при изготовлении средневолновых инфракрасных фотодиодов. Рассмотрены основные свойства и особенности протекания тока в диодах с контактами ограниченной площади и распределение плотности фототока в инфракрасных фотодиодах. На примере фотодиодов, изготовленных на основе структур InAsSbP/InAs(Sb), рассмотрено влияние неравномерности распределения плотности тока на основные характеристики фотодиодов. Для научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области физики полупроводников, а также может быть полезна преподавателям, аспирантам, магистрантам и студентам инженерно-физических специальностей.

ББК: 32.85

URL биб.описания: http://lib.chuvgpu.ru/MegaPro/UserEntry?Action=FindDocs&ids=118445&idb=mega1